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电子元器件详细资料 » IC[1816] » RN1108FSTPL3
型号:RN1108FSTPL3类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式制造商:Toshiba
封装:3-SMD,扁平引线描述:TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
系列-
制造商Toshiba
晶体管类型NPN - 预偏压
电流_集电极(Ic)111最大22250mA
电压_集电极发射极击穿111最大22220V
电阻器_基极(R1)111欧22222k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)120 @ 10mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222150mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大50mW
安装类型表面贴装
封装/外壳3-SMD,扁平引线
供应商设备封装fSM(1.0x0.6)
包装带卷 (TR)

供应商

北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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RN1108FSTPL3相关型号

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